ต้นทุนของระบบกักเก็บพลังงานส่วนใหญ่ประกอบด้วยแบตเตอรี่และอินเวอร์เตอร์กักเก็บพลังงานยอดรวมของทั้งสองคิดเป็น 80% ของต้นทุนของระบบจัดเก็บพลังงานเคมีไฟฟ้า ซึ่งอินเวอร์เตอร์เก็บพลังงานคิดเป็น 20%คริสตัลไบโพลาร์กริดฉนวน IGBT เป็นวัตถุดิบต้นน้ำของอินเวอร์เตอร์เก็บพลังงานประสิทธิภาพของ IGBT จะกำหนดประสิทธิภาพของอินเวอร์เตอร์เก็บพลังงาน ซึ่งคิดเป็น 20%-30% ของมูลค่าของอินเวอร์เตอร์
บทบาทหลักของ IGBT ในด้านการจัดเก็บพลังงานคือหม้อแปลงไฟฟ้า การแปลงความถี่ การแปลงแบบอินเตอร์โวลูชัน ฯลฯ ซึ่งเป็นอุปกรณ์ที่ขาดไม่ได้ในการใช้งานการจัดเก็บพลังงาน
รูปภาพ: โมดูล IGBT
วัตถุดิบต้นน้ำของตัวแปรการจัดเก็บพลังงาน ได้แก่ IGBT, ความจุ, ความต้านทาน, ความต้านทานไฟฟ้า, PCB ฯลฯ ในหมู่พวกเขา IGBT ยังคงขึ้นอยู่กับการนำเข้าเป็นหลักยังคงมีช่องว่างระหว่าง IGBT ในประเทศในระดับเทคโนโลยีและระดับชั้นนำของโลกอย่างไรก็ตาม ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมการจัดเก็บพลังงานของจีน กระบวนการแปรรูป IGBT ภายในประเทศก็คาดว่าจะเร่งตัวขึ้นเช่นกัน
ค่าแอปพลิเคชันการจัดเก็บพลังงาน IGBT
เมื่อเทียบกับเซลล์แสงอาทิตย์ ค่าของการเก็บพลังงาน IGBT ค่อนข้างสูงการจัดเก็บพลังงานใช้ IGBT และ SIC มากกว่า โดยเกี่ยวข้องกับสองลิงก์: DCDC และ DCAC รวมถึงสองโซลูชัน ได้แก่ ระบบจัดเก็บพลังงานแบบรวมออปติคัลและระบบจัดเก็บพลังงานแบบแยกกันระบบกักเก็บพลังงานอิสระ ปริมาณของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังประมาณ 1.5 เท่าของเซลล์แสงอาทิตย์ปัจจุบันการจัดเก็บแสงอาจมีสัดส่วนมากกว่า 60-70% และระบบจัดเก็บพลังงานแยกต่างหากมีสัดส่วน 30%
รูปภาพ: โมดูล BYD IGBT
IGBT มีชั้นการใช้งานที่หลากหลาย ซึ่งมีข้อได้เปรียบมากกว่า MOSFET ในอินเวอร์เตอร์กักเก็บพลังงานในโครงการจริง IGBT ได้ค่อยๆ เข้ามาแทนที่ MOSFET ในฐานะอุปกรณ์หลักของอินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์และการผลิตพลังงานลมการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมการผลิตไฟฟ้าพลังงานใหม่จะกลายเป็นแรงผลักดันใหม่สำหรับอุตสาหกรรม IGBT
IGBT เป็นอุปกรณ์หลักสำหรับการแปลงและส่งผ่านพลังงาน
IGBT สามารถเข้าใจได้อย่างสมบูรณ์ว่าเป็นทรานซิสเตอร์ที่ควบคุมอิเล็กทรอนิกส์สองทาง (หลายทิศทาง) ไหลด้วยการควบคุมวาล์ว
IGBT เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าควบคุมเต็มรูปแบบแบบคอมโพสิต ซึ่งประกอบด้วยไบโพลาร์ไตรโอด BJT และหลอดเอฟเฟกต์กริดแบบฉนวนข้อดีของแรงดันตกคร่อมสองด้าน
รูปภาพ: แผนผังโครงสร้างโมดูล IGBT
ฟังก์ชั่นสวิตช์ของ IGBT คือการสร้างช่องสัญญาณโดยการเพิ่มค่าบวกให้กับแรงดันเกตเพื่อให้กระแสเบสแก่ทรานซิสเตอร์ PNP เพื่อขับเคลื่อน IGBTในทางกลับกัน ให้เพิ่มแรงดันไฟประตูผกผันเพื่อกำจัดช่องสัญญาณ ไหลผ่านกระแสเบสย้อนกลับ และปิด IGBTวิธีการขับเคลื่อนของ IGBT นั้นโดยพื้นฐานแล้วเหมือนกับของ MOSFETเพียงต้องการควบคุมขั้วอินพุต N MOSFET หนึ่งช่องสัญญาณ ดังนั้นจึงมีคุณสมบัติอิมพีแดนซ์อินพุตสูง
IGBT เป็นอุปกรณ์หลักของการเปลี่ยนแปลงและการส่งผ่านพลังงานเป็นที่รู้จักกันทั่วไปว่าเป็น “ซีพียู” ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ไฟฟ้าเนื่องจากเป็นอุตสาหกรรมเกิดใหม่เชิงยุทธศาสตร์ระดับชาติ จึงมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์พลังงานใหม่และสาขาอื่นๆ
IGBT มีข้อดีหลายประการ เช่น ความต้านทานอินพุตสูง กำลังควบคุมต่ำ วงจรขับเคลื่อนที่เรียบง่าย ความเร็วในการสลับที่รวดเร็ว กระแสไฟในสถานะขนาดใหญ่ แรงดันในการเบี่ยงเบนลดลง และการสูญเสียเล็กน้อยดังนั้นจึงมีข้อได้เปรียบอย่างแน่นอนในสภาพแวดล้อมของตลาดปัจจุบัน
ดังนั้น IGBT จึงกลายเป็นกระแสหลักที่สุดของตลาดเซมิคอนดักเตอร์กำลังในปัจจุบันมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในหลายพื้นที่ เช่น การผลิตพลังงานไฟฟ้าใหม่ ยานพาหนะไฟฟ้าและกองชาร์จ เรือไฟฟ้า การส่งกระแสตรง การจัดเก็บพลังงาน การควบคุมไฟฟ้าทางอุตสาหกรรม และการประหยัดพลังงาน
รูป:อินฟิเนียนโมดูล IGBT
การจำแนกประเภท IGBT
ตามโครงสร้างผลิตภัณฑ์ที่แตกต่างกัน IGBT มีสามประเภท: ท่อเดียว, โมดูล IGBT และโมดูลพลังงานอัจฉริยะ IPM
(เสาเข็มชาร์จ) และสาขาอื่นๆ (ส่วนใหญ่เป็นผลิตภัณฑ์โมดูลาร์ที่จำหน่ายในตลาดปัจจุบัน)IPM โมดูลพลังงานอัจฉริยะส่วนใหญ่ใช้กันอย่างแพร่หลายในด้านเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านสีขาว เช่น เครื่องปรับอากาศแบบอินเวอร์เตอร์ และเครื่องซักผ้าแปลงความถี่
ขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้าของสถานการณ์การใช้งาน IGBT มีประเภทต่างๆ เช่น แรงดันไฟฟ้าต่ำพิเศษ แรงดันไฟฟ้าต่ำ แรงดันไฟฟ้าปานกลาง และแรงดันไฟฟ้าสูง
ในหมู่พวกเขา IGBT ที่ใช้โดยยานพาหนะพลังงานใหม่ การควบคุมทางอุตสาหกรรม และเครื่องใช้ในครัวเรือนส่วนใหญ่เป็นแรงดันไฟฟ้าปานกลาง ในขณะที่การขนส่งทางรถไฟ การผลิตพลังงานไฟฟ้าใหม่ และกริดอัจฉริยะมีความต้องการแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า โดยส่วนใหญ่ใช้ IGBT แรงดันไฟฟ้าสูง
IGBT ส่วนใหญ่จะปรากฏในรูปแบบของโมดูลข้อมูล IHS แสดงให้เห็นว่าสัดส่วนของโมดูลและหลอดเดี่ยวคือ 3: 1 โมดูลนี้เป็นผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบโมดูลาร์ที่สร้างโดยชิป IGBT และ FWD (ชิปไดโอดต่อเนื่อง) ผ่านบริดจ์วงจรที่ปรับแต่งเอง และผ่านกรอบพลาสติก วัสดุพิมพ์ และวัสดุพิมพ์ ฯลฯ
Mสถานการณ์ตลาด:
บริษัทจีนกำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว และปัจจุบันพวกเขาต้องพึ่งพาการนำเข้า
ในปี 2022 อุตสาหกรรม IGBT ในประเทศของฉันมีผลผลิต 41 ล้านชิ้น โดยมีความต้องการประมาณ 156 ล้านชิ้น และอัตราการพึ่งพาตนเองได้ 26.3%ปัจจุบัน ตลาด IGBT ในประเทศส่วนใหญ่ถูกครอบครองโดยผู้ผลิตในต่างประเทศ เช่น Yingfei Ling, Mitsubishi Motor และ Fuji Electric ซึ่งสัดส่วนสูงสุดคือ Yingfei Ling ซึ่งอยู่ที่ 15.9%
ตลาดโมดูล IGBT CR3 สูงถึง 56.91% และส่วนแบ่งรวมของผู้ผลิตในประเทศ Star Director และยุคของ CRRC ที่ 5.01% อยู่ที่ 5.01%ส่วนแบ่งการตลาดของผู้ผลิตสามอันดับแรกของอุปกรณ์แยก IGBT ทั่วโลกสูงถึง 53.24%ผู้ผลิตในประเทศเข้าสู่ส่วนแบ่งการตลาดสิบอันดับแรกของอุปกรณ์ IGBT ทั่วโลก โดยมีส่วนแบ่งการตลาด 3.5%
IGBT ส่วนใหญ่จะปรากฏในรูปแบบของโมดูลข้อมูล IHS แสดงให้เห็นว่าสัดส่วนของโมดูลและหลอดเดี่ยวคือ 3: 1 โมดูลนี้เป็นผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบโมดูลาร์ที่สร้างโดยชิป IGBT และ FWD (ชิปไดโอดต่อเนื่อง) ผ่านบริดจ์วงจรที่ปรับแต่งเอง และผ่านกรอบพลาสติก วัสดุพิมพ์ และวัสดุพิมพ์ ฯลฯ
Mสถานการณ์ตลาด:
บริษัทจีนกำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว และปัจจุบันพวกเขาต้องพึ่งพาการนำเข้า
ในปี 2022 อุตสาหกรรม IGBT ในประเทศของฉันมีผลผลิต 41 ล้านชิ้น โดยมีความต้องการประมาณ 156 ล้านชิ้น และอัตราการพึ่งพาตนเองได้ 26.3%ปัจจุบัน ตลาด IGBT ในประเทศส่วนใหญ่ถูกครอบครองโดยผู้ผลิตในต่างประเทศ เช่น Yingfei Ling, Mitsubishi Motor และ Fuji Electric ซึ่งสัดส่วนสูงสุดคือ Yingfei Ling ซึ่งอยู่ที่ 15.9%
ตลาดโมดูล IGBT CR3 สูงถึง 56.91% และส่วนแบ่งรวมของผู้ผลิตในประเทศ Star Director และยุคของ CRRC ที่ 5.01% อยู่ที่ 5.01%ส่วนแบ่งการตลาดของผู้ผลิตสามอันดับแรกของอุปกรณ์แยก IGBT ทั่วโลกสูงถึง 53.24%ผู้ผลิตในประเทศเข้าสู่ส่วนแบ่งการตลาดสิบอันดับแรกของอุปกรณ์ IGBT ทั่วโลก โดยมีส่วนแบ่งการตลาด 3.5%
เวลาโพสต์: Jul-08-2023